普通网站能不能用vue做几个小功能山东网站建设好不好

普通网站能不能用vue做几个小功能,山东网站建设好不好,网络推广的策略方法,网站不被百度收录大家好#xff0c;我是痞子衡#xff0c;是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家分享的是i.MXRT上使用16MB以上NOR Flash软复位无法正常启动问题的分析解决经验。五年前痞子衡写过一篇文章 《IS25WP256D的Bank Address Register[0]使用对RT1050软复位启动的影响》#xff0c;…大家好我是痞子衡是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家分享的是i.MXRT上使用16MB以上NOR Flash软复位无法正常启动问题的分析解决经验。五年前痞子衡写过一篇文章 《IS25WP256D的Bank Address Register[0]使用对RT1050软复位启动的影响》这篇文章介绍了对大容量 Flash16MB 的3字节地址命令下高/低地址空间(128Mb segment)切换特殊设计的利用需要注意如果主芯片 App 程序中包含内核软复位设计记得内核复位前先将 Flash 设置到初始状态。最近有一个 RT1180 客户启动 Flash 选用得是 IS25LP256HApp 程序里使用 Zephyr Flash 驱动时发现只要调用了 flash_flexspi_nor_4byte_enable() 函数后再做内核软复位芯片就不能再次启动了这其实还是大容量 Flash 地址模式搞的鬼。今天痞子衡就和大家聊聊这个问题一、大容量Flash地址模式设计痞子衡列出了下面 6 个主流 Flash 厂商的代表大容量 QSPI NOR 型号将其关于地址模式的信息整理在了一起开头提及的文章里4.3 关于Flash的3/4字节地址小节说了大容量 Flash 一般都支持 3/4B 地址两套命令4B 地址命令只接受 4B 地址不受地址模式影响3B 地址命令则根据当前地址模式来决定到底跟 3/4B 地址。Flash地址模式设计进/出4B地址命令高低Segment配置位高低Segment寄存器写命令3/4B地址配置位3/4B地址寄存器写命令IS25LP256H0xB7/0xE9Bank Address Register[0] - BA240x18/0xC5Bank Address Register[7] - EXTADD0x18/0xC5W25Q256JV0xB7/0xE9Extended Address Register[0] - A240xC5Status Register-3[1:0] - ADP,ADS0x11GD25Q256M0xB7/0xE9Extended Address Register[0] - A240xC5Status Register-2[13:12] - ADS,ADP0x31MX25L25645G0xB7/0xE9Extended Address Register[0] - A240xC5Configuration Register[5] - 4BYTE0x01S25FL256L0xB7/0xE9N/AN/AConfiguration Register 2 Volatile[1:0] - ADP,ADS0x71MT25QL256A0xB7/0xE9Extended Address Register[0] - A2416bit Configuration Register[0]0xC5,0xB1N/AN/A上表里我们可以看到所有厂商对于进入/退出 4B 地址模式的命令设计都是一样的初始情况下 Flash 都是 3B 地址模式关于高低 Segment 配置设计除了 Infineon 之外其他厂商都支持并且设计上也兼容。最后就是 3/4B 地址模式切换除了有专用命令设计外除 Micron 之外的其他厂商也提供直接写配置寄存器的方式但是这里分为两派一派是 Winbond、GigaDevice、Infineon其写寄存器切换地址模式仅在 POR 或者 reset 时才会生效而另一派 ISSI、MXIC 则写了相应配置寄存器后新地址模式直接生效。二、Zephyr下flash_flexspi_nor_4byte_enable()了解了大容量 Flash 的地址模式以及切换方法我们再来看看 Zephyr 驱动里是怎么处理的我们找到这个函数实现其 en4b 参数区分了好几种不同处理最主要的方式就是发 0xB7 专用命令切到 4B 地址模式。/* by 01130.hk - online tools website : 01130.hk/zh/calcheat.html */ en4b BIT(6) - Flash is always in 4 byte mode. We just need to configure LUT en4b BIT(0) - Issue instruction 0xB7 en4b BIT(1) - Issue write enable, then instruction 0xB7 en4b BIT(4) - Set bit 0 of 16 bit configuration register via 0xB1 cmd Other methods not supported. Include: BIT(2): 8-bit volatile extended address register used to define A[31:24] bits. BIT(3): 8-bit volatile bank register used to define A[31:24] bits. BIT(5): Dedicated vendor instruction set.从这个函数设计我们知道 Zephyr Flash 驱动使用了 3B 地址命令结合地址模式切换来支持所有容量 Flash 的全部空间访问并没有启用 4B 地址命令毕竟 4B 地址命令仅在大容量 Flash 上支持。三、RT系列对于Flash地址模式处理我们知道 RT 系列芯片上电 ROM 默认是用 0x03 命令 3B 地址来获取 FCB 的当第一次启动成功之后如果 App 程序里将 Flash 切换到 4B 地址模式然后做内核软复位重新启动此时 ROM 再用 0x03 命令 3B 地址就不能再拿到正确的 FCB 了这就是再次启动失败的原因。3.1 RT10xx系列ROM设计在 RT10xx 上 ROM 在 BT_CFG 的 FLASH_TYPE 里放了 3b000 和 3b001 两种配置分别对应 Flash 是 3B/4B 地址模式两种情况从而用 0x03 命令 3/4B 地址来获取 FCB。这样的设计仅对 RT 芯片 POR 时有效但如果是切换 Flash 地址模式后内核软复位的情况依然失效因为 BT_CFG 不能动态更改。更进一步的理解是这种设计是针对 Flash 默认地址模式是 4B 的情况但实际上几乎没有 Flash 默认地址模式是 4B毕竟已经有一套专门 4B 地址命令在这了。3.2 RT11xx/RT3digits系列ROM设计为了改进 RT10xx 上 ROM 缺陷在 RT11xx ROM 里 xSPI_FLASH_TYPE 干脆就拿掉了 3b001 配置注意这里仅仅是文档方面移除代码里实际上支持还在取而代之的是真正解决地址模式切换问题的手段详见痞子衡旧文 《RT系列ROM中集成的NOR SW Reset功能》简单来说就是假设 Flash 软复位后状态是 3B 地址模式ROM 上电后先对 Flash 做一次软复位再用 0x03 命令 3B 地址来获取 FCB这个设计逻辑看起来通顺了唯一需要注意的是软复位能不能将 Flash 地址模式恢复到默认状态这个需要检查具体 Flash 数据手册。四、通用解决方案上一节讲得都是依赖 ROM 来解决 Flash 地址模式切换问题这其实还是没有把控全局的感觉毕竟 Flash 地址模式是在 App 程序里切换的那显然 App 程序在做内核软复位的时候自己主动将 Flash 地址模式再切回来不就完了吗就像痞子衡旧文 《SW Reset退出NOR Continuous read模式》 里做法那样App 程序里加上 Flash 复位命令相关代码对本文来说也可以是退出 4B 地址模式命令相关代码在需要的地方调用一下即可。至此i.MXRT上使用16MB以上NOR Flash软复位无法正常启动问题的分析解决经验痞子衡便介绍完毕了掌声在哪里~~~欢迎订阅文章会同时发布到我的 博客园主页、CSDN主页、知乎主页、微信公众号 平台上。微信搜索痞子衡嵌入式或者扫描下面二维码就可以在手机上第一时间看了哦。最后欢迎关注痞子衡个人微信公众号【痞子衡嵌入式】一个专注嵌入式技术的公众号跟着痞子衡一起玩转嵌入式。衡杰(痞子衡)目前就职于恩智浦(NXP)半导体MCU系统应用部门担任高级嵌入式系统应用工程师。专栏内所有文章的转载请注明出处http://www.cnblogs.com/henjay724/与痞子衡进一步交流或咨询业务合作请发邮件至 hengjie1989foxmail.com可以关注痞子衡的Github主页 https://github.com/JayHeng有很多好玩的嵌入式项目。关于专栏文章有任何疑问请直接在博客下面留言痞子衡会及时回复免费(划重点)答疑。痞子衡邮箱已被私信挤爆技术问题不推荐私信坚持私信请先扫码付款(5元起步)再发。